Відвідуючи цей сайт, ви приймаєте програму використання cookie. Докладніше про нашу політику використання cookie .

Оксид гафнію

Характеристики

Хімічна формула: HfO₂
Назва: оксид гафнію(IV) / оксид гафнію
CAS №: 12055-23-1
Молярна маса: 210,49 г/моль
Густина: 9,68 г/см³
Температура плавлення: близько 2758 °C
Температура кипіння: близько 5400 °C
Колір: білий
Форма: дрібнодисперсний порошок або щільний спечений матеріал
Діелектрична проникність: близько 25
Ширина забороненої зони: близько 5,3-5,7 еВ
Показник заломлення: близько 2,1

Оксид гафнію (HfO₂) - неорганічна сполука, що належить до важливих High-k-діелектриків сучасної напівпровідникової промисловості та застосовується у високотемпературних керамічних матеріалах. Він постачається у вигляді дрібнодисперсного білого порошку або щільних спечених виробів і вирізняється винятково високою термічною стабільністю.

За кімнатної температури HfO₂ кристалізується переважно в моноклінній структурі. За підвищення температури матеріал переходить у тетрагональну фазу приблизно від 1700 °C, а за ще вищих температур - у кубічну фазу. Оксид гафнію вирізняється високою хімічною інертністю і практично не розчиняється у воді, спиртових середовищах і більшості кислот. Розчинення можливе, зокрема, у фтороводневій кислоті та концентрованій гарячій сірчаній кислоті.

Однією з ключових особливостей оксиду гафнію є висока діелектрична проникність близько 25 за ширини забороненої зони приблизно 5,3-5,7 еВ. Таке поєднання властивостей дає змогу використовувати HfO₂ для формування дуже тонких ізолювальних шарів у польових транзисторах зі зниженими струмами витоку та зі збереженням високої електричної ємності.

Оксид гафнію також має високий показник заломлення близько 2,1 і добру оптичну прозорість у широкому діапазоні від ближнього ультрафіолету до середнього інфрачервоного випромінювання. Завдяки цьому матеріал застосовується в інтерференційних фільтрах, лазерних дзеркалах і багатошарових оптичних покриттях.

Промислове одержання HfO₂ може здійснюватися термічним розкладанням нітрату або оксалату гафнію. Для виготовлення тонких функціональних шарів у мікроелектроніці також застосовується атомно-шарове осадження ALD з використанням летких прекурсорів гафнію.

Якщо вас цікавить, де використовується гафній, його оксид особливо затребуваний у мікроелектроніці, оптичних покриттях, спеціальній кераміці, сенсорних і високотемпературних технологіях. Хочете купити оксид гафнію? В Auremo можна уточнити доступну чистоту, форму постачання та умови замовлення. Запити «гафній метал», «гафній ціна за грам» і «гафній ціна за кг» стосуються передусім металевого гафнію, тоді як ціна оксиду гафнію залежить від чистоти, форми матеріалу та кількості.

Переваги

• Висока діелектрична проникність High-k
• Можливість зменшення струмів витоку в тонких ізолювальних шарах
• Винятково висока термічна стабільність
• Температура плавлення близько 2758 °C
• Широка заборонена зона близько 5,3-5,7 еВ
• Високий показник заломлення близько 2,1
• Добра прозорість від ближнього УФ до середнього ІЧ-діапазону
• Висока хімічна стійкість

Сфери застосування

• High-k-діелектрики в мікроелектроніці
• Інтегральні схеми, процесори та графічні процесори
• DRAM- і RRAM-структури
• Польові транзистори
• Інтерференційні оптичні фільтри
• Лазерні дзеркала
• Антивідблискові покриття
• Спеціальна та вогнетривка кераміка
• Термобар'єрні покриття
• Тиглі для високочистих синтезів
• Різальна кераміка
• Нейтронопоглинальні матеріали
• Функціональні тонкоплівкові газові сенсори

Auremo пропонує оксид гафнію та інші високочисті спеціальні матеріали для промислового й високотехнологічного застосування. Якщо у вас є запитання щодо HfO₂, доступної чистоти, форми постачання або умов замовлення, зв'яжіться з нами безпосередньо.

Наш консультант заощадить ваш час

+49(1516) 758 59 40
E-mail:
Telegram:
WhatsApp:

Передплата

Спеціальні пропозиції та знижки. :)