Оксид галію
Характеристики
Хімічна формула: Ga₂O₃
Назва: оксид галію(III) / оксид галію
CAS №: 12024-21-4
Молярна маса: 187,44 г/моль
Густина: 6,44 г/см³ (моноклінна β-модифікація)
Температура плавлення: близько 1900 °C
Колір: білий
Форма: дрібнодисперсний порошок або монокристалічна підкладка
Ширина забороненої зони β-Ga₂O₃: близько 4,8-4,9 еВ
Критична напруженість електричного поля: близько 8 МВ/см
Розчинність: нерозчинний у воді, розчиняється в гарячих мінеральних кислотах і сильних лугах
Оксид галію(III) (Ga₂O₃), також відомий як оксид галію, є неорганічною сполукою та перспективним матеріалом для напівпровідників з ультраширокою забороненою зоною. Він постачається у вигляді дрібнодисперсного білого порошку або монокристалічних підкладок. Температура плавлення близько 1900 °C забезпечує матеріалу високу термічну стабільність.
Ga₂O₃ існує в кількох поліморфних модифікаціях, включаючи α-, β-, γ-, δ- та ε-фази. За кімнатної температури термодинамічно найстабільнішою є моноклінна β-модифікація β-Ga₂O₃.
Однією з ключових характеристик β-Ga₂O₃ є надзвичайно широка заборонена зона близько 4,8-4,9 еВ. Матеріал також характеризується критичною напруженістю електричного поля на рівні 8 МВ/см, що робить його особливо перспективним для високовольтної та силової електроніки.
Оксид галію має високу прозорість у глибокому ультрафіолетовому та видимому діапазонах. Це дає змогу використовувати матеріал у сонячно-сліпих УФ-фотодетекторах та іншій спеціалізованій оптоелектроніці. Ga₂O₃ не розчиняється у воді, але розчиняється в гарячих мінеральних кислотах і сильних лужних розчинах.
Промислове одержання оксиду галію здійснюється, зокрема, термічним прожарюванням нітрату, гідроксиду або оксалату галію за температур понад 800 °C. Монокристали можуть вирощуватися безпосередньо з розплаву методами Чохральського або EFG.
Якщо вас цікавить, де використовується галій, його оксид особливо затребуваний у силовій електроніці, УФ-оптоелектроніці, сенсорних системах, каталізаторах і тонкоплівкових технологіях. Оксид галію також застосовується як вихідний матеріал для мішеней для розпилення та функціональних оксидних покриттів.
Хочете купити оксид галію? В Auremo можна уточнити доступні характеристики та умови постачання Ga₂O₃. Запити «галій метал», «галій ціна за грам» і «галій ціна за кг» стосуються насамперед металевого галію, тоді як ціна оксиду галію залежить від чистоти, форми матеріалу, кількості та умов постачання.
Переваги
• Ультраширока заборонена зона близько 4,8-4,9 еВ
• Висока критична напруженість електричного поля близько 8 МВ/см
• Перспективність для високовольтної силової електроніки
• Можливість вирощування монокристалів безпосередньо з розплаву
• Висока термічна стабільність
• Прозорість у глибокому УФ- та видимому діапазонах
• Підходить для сонячно-сліпої УФ-сенсорики
• Можливість застосування у функціональних тонкоплівкових матеріалах
Сфери застосування
• Силова електроніка нового покоління
• Високовольтні діоди Шотткі
• Польові транзистори FET
• Інвертори для електротранспорту та енергетичних мереж
• Сонячно-сліпі УФ-фотодетектори
• Контроль полум'я та вимірювання озону
• Спеціалізовані системи УФ-виявлення
• Каталізатори та газові сенсори
• Детектування водню та чадного газу за високих температур
• Тонкоплівкові технології
• Мішені для розпилення
• Прозорі провідні оксидні покриття
• Легування оксиду цинку
Auremo пропонує оксид галію та інші спеціальні матеріали для промислового й високотехнологічного застосування. Якщо у вас є запитання щодо Ga₂O₃, доступної чистоти, форми постачання або умов замовлення, зв'яжіться з нами безпосередньо.
